半导体激光器的特点(半导体激光器的特点有哪些)

半导体激光器，作为一种相干辐射光源，在基本构造上，属于半导体的P-N接面，但在激光二极管中，由于采用了金属包层从两边夹住发光层（活性层）的“双异质接合构造”，并在激光二极管中将界面作为发射镜（共振腔）使用。

其使用材料包括镓、砷、铟、磷等，多重量子井型中也使用Ga·Al·As等。

Q-Line纤绿半导体激光器，因其条状结构，微小电流即可增加活性区域的居量反转密度，优点在于激发容易呈现单一形式，其寿命可达10~100万小时。

该激光器的工作原理是基于增益条件，即建立起激射媒质（有源区）内载流子的反转分布。

在半导体中，电子能量由一系列接近连续的能级组成能带，实现粒子数反转需要在能带区域之间，高能态导带底的电子数大于低能态价带顶的空穴数，通过给同质结或异质结加正向偏压实现。

处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合产生受激发射作用，实现相干受激辐射。

激光二极管的优点包括效率高、体积小、重量轻且价格低廉。

多重量子井型的效率可达20~40%，P-N型也达到数%~25%，能量效率高是其最大特色。

激光器的封装形式包括单管、Bar条、阵列（Stack）、光纤耦合模块四种，其中光纤耦合模块用于光纤激光器的泵浦光源。

半导体激光器在应用领域广泛，包括Gb局域网、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等。

半导体激光器在光纤通信和大气通信中是重要光源，特别是在长距离、大容量的光信息传输系统中采用分布反馈式半导体激光器（DFB一LD)。

在光盘技术中，半导体激光器用于信息的写入和读出，是集计算技术、激光技术和数字通信技术于一体的综合性技术，是大容、高密度、快速有效和低成本的信息存储手段。

综上所述，半导体激光器的结构、材料、工作原理以及在不同领域的应用，表明了其在光电子学领域的核心地位，对信息光电子技术的发展起到了推动作用。

半导体激光器的特点有哪些

半导体激光在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。

后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。

下面小编就给大家介绍一下半导体激光器的优点及工作原理，一起来看看吧。

导体激光器工作原理

根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。

一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。

半导体复合发光达到受激发射（即产生激光）的必要条件是：

①粒子数反转分布分别从P型侧和n型侧注入到有源区的载流子密度十分高时，占据导带电子态的电子数超过占据价带电子态的电子数，就形成了粒子数反转分布。

②光的谐振腔在半导体激光器中，谐振腔由其两端的镜面组成，称为法布里一珀罗腔。

③高增益用以补偿光损耗。谐振腔的光损耗主要是从反射面向外发射的损耗和介质的光吸收。

半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：

（1）要产生足够的粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；

（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；

（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。

半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。

半导体激光器的优点

半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。

它的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。

此外，半导体激光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。

目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被半导体激光器所取代。

从上述内容可以看出半导体激光器和其他激光器相比之下，是出众了点，也可谓说是首领，所以也被更加广泛的应用在了生活中，说明它的方便与人，而它的优势被人良好的发挥了出来，给人们的生活带来的很大的便捷。